阙端麟(1928年5月19日—2014年12月17日)，出生于福建福州。半导体材料学家。1991当选为中国科学院学部委员(院士)。1984年加入九三学社。九三学社第八届中央委员会委员，第九、十届中央委员会常委。
阙端麟1951年毕业于厦门大学电机系，毕业后留校任教。1953年调浙江大学工作，1954年晋升为讲师，1978年晋升为副教授，1981年晋升为教授。曾先后任浙江大学电机系实验室主任、无线电系半导体材料与器件教研室副主任、材料科学与工程系副主任、半导体材料研究室主任、半导体材料研究所所长、浙江大学副校长、校务委员会副主任等职。
阙端麟忠诚人民的教育事业，在教育战线上辛勤耕耘，培养了一大批社会主义事业接班人。浙江大学是我国最早开办半导体材料与器件专业的学校之一，阙端麟是开办该专业的最主要骨干教师之一，为该专业的建设和发展做出过重要贡献。他先后为本科生、研究生开设了电工材料、半导体材料、半导体专论、真空技术、半导体物理、近代物理基础等10多门课程，其中多门课程都是在没有教科书，甚至没有系统参考书的情况下，由他首先收集资料开出的。阙端麟由于基础扎实、知识面宽、根底深厚，讲课深入浅出，理论联系实际，语言精练而生动，得到学生好评。他注重理论联系实际，有很强的实验技能，在教学过程中一贯重视培养学生实践和实验能力。在他的指导下，研究生都能较早深入实验室和工厂参加课题讨论、实验和生产实践，并从中选择毕业论文课题，往往收到很好效果，大多数研究生的论文都有较高的学术水平和应用价值。在阙端麟的言传身教训练下，他的学生都有较强的科研实验能力。许多学生已成长为各单位业务骨干和领导。
阙端麟是我国自己培养的专家，他深信在中国的土地上能够做出自己的贡献。几十年的攀登拼搏，换来了一项又一项成果、发明，为中国人争了光。在科研道路上闯过了坎坎坷坷的阙端麟深深体会到，自力更生精神在科技工作中的体现，不仅仅是艰苦奋斗，它更深刻的含义在于利用中国现有条件，去争取高水平的成果。他对前人的经验和结论并不盲从，而是独立思考，批判地吸收，从而有所发现、有所创造、有所前进。
阙端麟在繁忙的教学工作的同时，坚持不懈地开展前沿领域的科研工作。1954年，他开始从事温差电材料的研究，跨入了半导体材料这一新兴学科，试制成我国第一台温差发动机。1959年转向硅材料的研究，1964年在国内首先用硅烷法制成纯硅，随后在浙江大学组成了扩大的研究课题组，于1970年完成了高纯硅烷及多晶硅生产的成套技术研究，工艺简单，流程短，易于保证高纯度，是我国生产高纯硅烷的主要方法，该成果获国家发明奖三等奖。他首次为国内提供了电子工业急需的纯硅烷气体；负责并领导了极高阻硅单晶的研制，并成功地研制出了探测器级硅单晶、P型电阻率高达100KCM的硅单晶，达到国际水平。在硅单晶电学法测试方面，他进行了新的测试方法和理论研究，提出了双频动态电导法和间歇加热法测试硅材料导电型号；发展了红外光电导衰减寿命测试技术和理论，创立并首先发表了高频单色光电导法寿命测试的表面修正公式。他主持研制生产仪器的技术指标大大超过同类进口仪器水平，使硅单晶工业产品寿命测试仪全部国产化，该成果获国家发明奖三等奖。20世纪80年代是阙端麟在科研上丰收的时期，除高纯硅和测试技术、测试仪器外，还在硅晶体生长技术方面取得了实质性进展，“氮保护气氛直拉硅单晶”的研究成功，打破了国外同行专家“不可能采用氮气做保护气氛拉制硅单晶”的结论，取得了6项发明专利，经济效益和社会效益十分显著。“减压充氮直拉硅单晶技术”被《科技日报》评选为我国1987年10项重大科技成果之一，1988年该成果又在布鲁塞尔举行的第37届尤里卡世界发明博览会上获金牌奖；1989年获国家发明奖二等奖。
他在研究工作中有两个特色：一是在选题上有自己独到的见解；二是他一贯重视科研与生产的紧密结合，将科研成果转化为生产力。
确定研究方向、选择研究课题在科研工作中具有极其重要的作用，它关系到能否取得高水平成果、能否有发展前途。阙端麟在确定研究方向和选题时所遵从的原则是：既要寻找有发展前途的高水平课题，又要照顾到本单位乃至我国所具备的实际条件，量力而行。20世纪70年代，他经过深思熟虑，由研究温差电材料，转而选择了量大面广、性能优良的硅材料作为研究方向，迈出了关键的一步；30多年后，他在浙大建成了以高纯硅材料为特色的国家重点实验室。他认为，科学研究不能“人云亦云”、“凑热闹”，搞低水平的重复。在了解和研究前人及同时代人工作的基础上，必须要有自己的思想和独特的技术思路，才会有所建树。这些思想促使他选题方向正确，且富有创造性，往往取得显著成果。
阙端麟不仅一直非常重视科研与生产相结合，而且积极主张努力发展校办产业，他的多项成果一经鉴定就直接转入浙江大学半导体厂生产，工厂所创造的经济效益又用来支持学科和实验室建设，形成了生产与学科建设紧密结合的思路。在此思路的指导下，半导体厂发展很快，1995年国务院发展研究中心授予半导体厂“中华之最”荣誉称号。
在建设浙江大学半导体材料学科过程中，阙端麟带领一班人四处奔波，寻求支持，苦心经营，经过了由小到大、由“土”变“洋”的漫长道路。阙端麟是国内较早开始半导体材料研究的学者之一。阙端麟作为高纯硅国家重点实验室学术带头人、浙江大学半导体材料专业创始人，他的业绩不仅是上述教学研究成果和发明，还具有可贵的创业精神。他苦心经营，把几个人的科研小组发展成集教学、科研、生产于一体的近百人的集体，建立了一支老中青相结合的学术梯队，创立了拥有数亿元固定资产的基地，为学科的发展奠定了坚实的基础。浙江大学半导体材料学科是国务院学位委员会批准的第一批硕士学位授予点和第一个半导体材料工学博士学位授予点，1988年又被评定、批准为国家教委重点学科。1985年国家计委批准在浙江大学建设高纯硅国家重点实验室，1987年建成并对外开放。它具备了较好的从事半导体材料和半导体器件教学、研究的条件，已成为培养高质量人才、出高水平成果的基地。
阙端麟教授学识渊博，诲人不倦，平易近人，师德高尚，他爱党爱国，刻苦攻关，硕果累累。1956年，他被评为浙江大学先进工作者，1983年被评为浙江省五讲四美为人师表优秀教师，1986年被评为国家级有突出贡献的中青年专家，1988年获浙江省劳动模范称号，1990年被评为全国高等学校先进科技工作者，同年获全国“五一”劳动奖章。他在政府和学术团体中担任的专业职务主要有：浙江省自然科学基金委员会副主任、浙江省学位委员会副主任、浙江省人民政府经济建设咨询委员会委员、中国电子学会电子材料学会专业学会副主任、浙江省电子学会副理事长、国务院第二届、第三届学位委员会非金属材料学科评议组成员、国家科委发明委员会特邀评审员、国家自然科学基金委员会半导体学科评审组成员、中国发明协会理事等。历任九三学社中央委员会常委、浙江省委员会主任委员，浙江省政协副主席。
主要论著
1阙端麟，采用氮保护气氛制造直拉(切氏法)硅单晶方法，中国发明专利 ，CN85100295B(已授权)。
2阙端麟，重掺锑硅单晶的制造方法，中国发明专利，CN86100854B(已授权)。
3阙端麟，直拉硅单晶的气相掺氮方法，中国发明专利，CN1003607B(已授权)。
4阙端麟，一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法，中国发明专利，CN1003797B (已授权)。
5阙端麟，控制直拉硅单晶中氮量的方法，中国发明专利，CN1040400A(已授权)。
6阙端麟，红外光源硅单晶少子寿命测试仪，浙江大学学报，1982，3。
7阙端麟，高频109μ红外光电导衰减法测试硅单晶非平衡截流子寿命，浙江大 学学报，1985，2。
8阙端麟，高阻探测器级硅单晶，稀有金属1987，60。
9阙端麟，高阻硅低温欧姆接触，半导体学报，1988，9(2)。
10Que Duanlin,Nitrogen Concentration in CZ Silicon Crystals Grown under Nitrogen Atmosphere，Proceedings of 2th International Conference on Solid State and IC Te chnology,Beijing，1989.
11阙端麟，采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究，浙江大学学报， 1990，24(3)。
12阙端麟，减压氮保护直拉硅单晶生长，中国科学A辑，1991，2C zochralski Silicon Crystal Growth in Ntrogen Atmosphere Under Reduced Pressure ，Science in China (Series A)，1991.
13阙端麟，含氮CZSi中NN对的退火行为，半导体学报，1991，12(4)。
14阙端麟，微氮硅单晶中的热受主，半导体学报， 1991，12(8)。
15阙端麟，中国大百科全书·电子学与计算机卷“硅材料”篇。
16Oue Duanlin,Czochralski Silicon Crystal Growth in Nitrogen Atmosphere under Reduced Pressure，Science in China (Series A),1991,34(8)：1017～1024.
17Que Duanlin,Surface Recmbination Correction Formula for Measuring Minority Carrie r Lifetime in Silicon Crystals by Monochromatic Light Photoconductive Decay ，Chinese Journal of Electronics,1994,3(4)：76～78.
18Que Duanlin,Oxygen Precipitate of New Morphology in Nitrogen Doped Silicon ， Progress in Natural Science,1994,3(2)：176～180.
19Que Duanlin,Nitrogen Effects on Thermal Donor and Shallow Thermal Donor in Silico n，JApplPhys，1995,77(2)：933.
20Que Duanlin,Effect of Nitrogenoxygen Complex on Electrical Properties of Czoch ralski Silicon，ApplPhysLett.,1996,68(4)：487.
