5月12日-17日，在功率半导体领域最顶级的学术年会——第三十届国际功率半导体器件与集成电路年会（IEEE ISPSD 2018）上，九三学社社员、微电子学家、中国科学院院士陈星弼因对超结功率半导体器件的卓越贡献入选ISPSD首届名人堂，成为国内首位入选名人堂的华人科学家。

大会主席Jhon Shen和顾问Mutsuhiro Mori共同为陈星弼（中）颁奖

授奖仪式和庆祝晚宴于5月16日晚在美国芝加哥举行。大会主席Jhon Shen和顾问Mutsuhiro Mori共同为陈星弼颁奖。

ISPSD首届名人堂入选者是由ISPSD委员会根据成立30年以来全球相关领域的科学家对功率半导体器件与功率集成电路做出的贡献进行评选。此次全球仅有32位科学家入选。

在2015年第二十七届国际功率半导体器件与集成电路年会（IEEE ISPSD 2015）上，陈星弼因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献获得大会颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”（ISPSD 2015 Pioneer Award），成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。

ISPSD是国际电气与电子工程师协会（IEEE）主办的不带地区色彩的高水平学术会议，是功率器件领域的顶级国际学术会议。该会每年举办一届，自1992年的第三届开始，轮流在日本（2007年为韩国）、美国（1999年为加拿大）和欧洲举办。自2015年起，中国成为该会的常任举办国之一。

陈星弼，1931出生于上海。微电子学家。教授，博士生导师，1999年当选为中国科学院院士。2001年加入九三学社。他1952年毕业于同济大学，后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年开始在成都电讯工程学院工作。1980年美国俄亥俄州大学作访问学者。1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。他著书7本，发表学术论文110多篇，申请中国发明专利20项（已授权17项），申请美国发明专利19项（已授权16项，另有两项已通知准备授权），申请国际发明专利1项。获国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项，完成国家自然科学基金重点项目、军事研究项目、国家“八五”科技攻关项目多项。